买卖IC网 >> 产品目录 >> BSB018NE2LX G MOSFET OptiMOS2 PWR-MOSFET N-CH datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

BSB018NE2LX G

库存数量:可订货
制造商:Infineon Technologies
描述:MOSFET OptiMOS2 PWR-MOSFET N-CH
RoHS:
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET OptiMOS2 PWR-MOSFET N-CH
BSB018NE2LX G PDF下载
制造商 Infineon Technologies
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 25 V
闸/源击穿电压 +/- 20 V
漏极连续电流 32 A
电阻汲极/源极 RDS(导通) 0.0018 Ohms at 10 V
配置 Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度 + 150 C
安装风格
封装 / 箱体
封装 Reel
相关资料
供应商
公司名
电话
深圳市科翼源电子有限公司 13510998172 朱小姐
深圳市大源实业科技有限公司 15302619915 李女士
深圳市瑞智芯科技有限公司 0755-83089975 李先生
昆山开发区美科微电子商行 18951125455 易春花
深圳市芯易芯科技有限公司 0755-84864007 曾先生
北京杰创宏达电子有限公司 010-61190909 沈小姐/伊小姐
  • BSB018NE2LX G 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价