BSB018NE2LX G datasheet
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>> BSB018NE2LX G MOSFET OptiMOS2 PWR-MOSFET N-CH datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
BSB018NE2LX G
库存数量:
可订货
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET OptiMOS2 PWR-MOSFET N-CH
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET OptiMOS2 PWR-MOSFET N-CH
BSB018NE2LX G PDF下载
制造商
Infineon Technologies
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
25 V
闸/源击穿电压
+/- 20 V
漏极连续电流
32 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
0.0018 Ohms at 10 V
配置
Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
封装 / 箱体
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
BSB018NE2LX G
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BSB019N03LX G
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供应商
公司名
电话
深圳市科翼源电子有限公司
13510998172
朱小姐
深圳市大源实业科技有限公司
15302619915
李女士
深圳市瑞智芯科技有限公司
0755-83089975
李先生
昆山开发区美科微电子商行
18951125455
易春花
深圳市芯易芯科技有限公司
0755-84864007
曾先生
北京杰创宏达电子有限公司
010-61190909
沈小姐/伊小姐
BSB018NE2LX G 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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